OBSAH WEBU
ČTĚTE!
Rozdíly
Zde můžete vidět rozdíly mezi vybranou verzí a aktuální verzí dané stránky.
|
temata:01-polovodice:main [2012/05/12 11:42] conyx [Realizace logických členů NAND a NOR v technologii CMOS] |
temata:01-polovodice:main [2016/05/24 17:08] (aktuální) xpavel27 [Realizace logických členů NAND a NOR v technologii CMOS] |
||
|---|---|---|---|
| Řádek 2: | Řádek 2: | ||
| ====== 01 - Princip činnosti polovodičových prvků ====== | ====== 01 - Princip činnosti polovodičových prvků ====== | ||
| - | + | * ** Polovodiče: ** | |
| - | * látky, jejichž elektrické vlastnosti závisejí na vnějších podmínkách (teplota, osvětlení, ...) | + | * látky, jejichž elektrické vlastnosti závisejí na vnějších podmínkách (teplota, osvětlení, ...) |
| - | * za normálních podmínek nevedou elektrický proud tak, jako vodiče (nízké teploty => izolanty) | + | * za normálních podmínek nevedou elektrický proud tak, jako vodiče (nízké teploty => izolanty) |
| <note tip> | <note tip> | ||
| - | Vodič je uspořádán v krystalické mřížce tak, že jeho valenční elektrony se pohybují volně a po připojení napětí dochází k jejich pohybu.\\ | + | Vodič je uspořádán v krystalické mřížce tak, že jeho valenční elektrony se pohybují volně a po připojení napětí dochází k jejich pohybu. V případě polovodiče se čas od času uvolní elektron a přesune se jinam. |
| - | **x**\\ | + | |
| - | V případě polovodiče se čas od času uvolní elektron a přesune se jinam. | + | |
| </note> | </note> | ||
| Řádek 30: | Řádek 28: | ||
| <note>Obrázky typů polovodičů - http://www.cez.cz/edee/content/microsites/elektrina/fyz9.htm</note> | <note>Obrázky typů polovodičů - http://www.cez.cz/edee/content/microsites/elektrina/fyz9.htm</note> | ||
| - | |||
| ===== Dioda ===== | ===== Dioda ===== | ||
| * vznikne spojením nevlastních polovodičů typu N (katoda) a P (anoda) | * vznikne spojením nevlastních polovodičů typu N (katoda) a P (anoda) | ||
| Řádek 36: | Řádek 33: | ||
| - __propustný směr__ - P -> N | - __propustný směr__ - P -> N | ||
| - __závěrný směr__ - N -> P | - __závěrný směr__ - N -> P | ||
| - | * používají se v usměrňovacích obvodech | + | * typy diod: |
| + | * usměrňovací | ||
| + | * detekční a spínací | ||
| + | * stabilizační | ||
| + | * kapacitní | ||
| + | * luminiscenční (LED) | ||
| + | * fotodiody | ||
| {{ temata:01-polovodice:f2-17.gif }} | {{ temata:01-polovodice:f2-17.gif }} | ||
| Řádek 73: | Řádek 76: | ||
| * součástka obsahující dva PN přechody, vznikají tak dva typy, NPN a PNP. | * součástka obsahující dva PN přechody, vznikají tak dva typy, NPN a PNP. | ||
| - | {{ temata:01-polovodice:bip.jpg }} | + | {{ temata:01-polovodice: zapojtranzistor.png?800 }} |
| * základní zapojení tranzistoru (NPN) je kladný pól na B (báze) a E (emitor), záporný na C (kolektor) | * základní zapojení tranzistoru (NPN) je kladný pól na B (báze) a E (emitor), záporný na C (kolektor) | ||
| Řádek 80: | Řádek 83: | ||
| * dále při zvyšování napětí se zvyšuje i proud | * dále při zvyšování napětí se zvyšuje i proud | ||
| * jinými slovy, pokud je přechod EB zapojen v propustném směru, proud teče i do C a čím větší je proud přes EB (zmenšování přechodu), tím více proud je propuštěné dále do kolektoru | * jinými slovy, pokud je přechod EB zapojen v propustném směru, proud teče i do C a čím větší je proud přes EB (zmenšování přechodu), tím více proud je propuštěné dále do kolektoru | ||
| + | |||
| + | {{ temata:01-polovodice: prudenietranzistor.png?800 }} | ||
| + | |||
| * **Tranzistorový jev:** malému proudu přes přechod EB odpovídá velký proud EC | * **Tranzistorový jev:** malému proudu přes přechod EB odpovídá velký proud EC | ||
| Řádek 86: | Řádek 92: | ||
| * U<sub>BC</sub> - napěti mezi bází a kolektorem | * U<sub>BC</sub> - napěti mezi bází a kolektorem | ||
| - | to same plati pro proud. | + | * to same plati pro proud. |
| + | * mezi proudy je vztah: I<sub>E</sub> = I<sub>B</sub> + I<sub>C</sub> | ||
| - | mezi proudy je vztah: I<sub>E</sub> = I<sub>B</sub> + I<sub>C</sub> | + | {{ temata:01-polovodice: chartranzistor.png?300 }} |
| - | saturační proud (zbytkový): proud, jež prochází tranzistorem, když je uzavřen (to samé u diody, když je v závěrném směru) | + | * saturační proud (zbytkový): proud, jež prochází tranzistorem, když je uzavřen (to samé u diody, když je v závěrném směru) |
| + | * spínací napěti: napeti, ktere musi byt mezi bazi a emitorem, aby zacal emitorem-kolektorem prochazet proud | ||
| - | spínací napěti: napeti, ktere musi byt mezi bazi a emitorem, aby zacal emitorem-kolektorem prochazet proud | + | {{ temata:01-polovodice: spinacitranzistor.png?500 }} |
| + | * najčastejšie sa zapája v zapojení so spoločním emitorom, kde dochádza k zosilneniu prúdu | ||
| + | * používané je aj zapojenie so spoločnou bázou, pri ktorej sa zosiluje napätie | ||
| + | * zapojenie so spoločným kolektorom zosiluje výkon U.I | ||
| + | |||
| + | {{temata:01-polovodice: zapoj1.png?200 }} | ||
| + | {{ temata:01-polovodice: zapoj2.png?200}} | ||
| + | {{ temata:01-polovodice: zapoj3.png?200 }} | ||
| ==== Unipolární tranzistor ==== | ==== Unipolární tranzistor ==== | ||
| * nemá dva polovodičové přechody, při řízení činnosti využívá nosiče náboje pouze jednoho druhu | * nemá dva polovodičové přechody, při řízení činnosti využívá nosiče náboje pouze jednoho druhu | ||
| * není potřeba vstupní proud, ovládání je na základě elektrického pole. (Field effect tranzistors - FET) | * není potřeba vstupní proud, ovládání je na základě elektrického pole. (Field effect tranzistors - FET) | ||
| + | * ve většině případů se vyrabějí s přechodem PN, v praxi oznacovane jako JFET | ||
| + | * Pokud na řídicí elektrodu přivedeme kladné napětí, začneme vytlačovat kladné díry do kanálu N, kde se začnou rekombinovat s volnými elektrony čímž dojde ke snížení vodivosti. Pokud přivedeme napětí záporné, vytlačí se do kanálu N elektrony čímž se vodivost zvýší. U kanálu P je to přesně naopak. | ||
| {{ temata:01-polovodice:fet.jpg }} | {{ temata:01-polovodice:fet.jpg }} | ||
| Řádek 110: | Řádek 127: | ||
| ==== Realizace logických členů NAND a NOR v technologii CMOS ==== | ==== Realizace logických členů NAND a NOR v technologii CMOS ==== | ||
| + | |||
| + | === CMOS === | ||
| + | Technologie CMOS (Complementary Metal–Oxide–Semiconductor, doplňující se kov-oxid-polovodič) je používaná na převážnou většinu integrovaných obvodů. Mezi nejdůležitější vlastnosti CMOS patří vysoká odolnost proti šumu a nízká spotřeba ve statickém stavu. Více energie se spotřebovává pouze na přepínání mezi zapnutým a vypnutým stavem tranzistoru, proto CMOS nespotřebovává tolik energie jako například nMOS nebo TTL. CMOS také umožňuje vyšší hustotu prvků na čipu. | ||
| === NOR === | === NOR === | ||
| <note tip> | <note tip> | ||
| - | Pokud jsou oba vstupy v logické nule, oba tranzistory s P kanálem (šipka ven u báze) budou otevřené. To způsobí připojení napájecího napětí na výstup. Oba tranzistory s N kanálem (šipka dovnitř u báze) budou uzavřené takže výstup není připojen na zem. Pokud je jeden vstup v logické nule, tak se rozepne jeden z P tranzistorů a tím odpojí výstup od napájecího napětí. Zároveň se otevře jeden z N tranzistorů a uzemní výstup. | + | Pokud jsou oba vstupy v logické nule, oba tranzistory s P kanálem (šipka ven u báze, kolečko) budou otevřené. To způsobí připojení napájecího napětí na výstup. Oba tranzistory s N kanálem (šipka dovnitř u báze, bez kolečka) budou uzavřené takže výstup není připojen na zem. Pokud je jeden vstup v logické nule, tak se rozepne jeden z P tranzistorů a tím odpojí výstup od napájecího napětí. Zároveň se otevře jeden z N tranzistorů a uzemní výstup. |
| </note> | </note> | ||
| - | {{temata:01-polovodice:nor.jpg}} | + | {{temata:01-polovodice:nor.jpg?300}} |
| - | {{temata:01-polovodice:cmos_nor.jpg}} | + | {{temata:01-polovodice:cmos_nor.png?150}} |
| ^ A ^ B ^ Y ^ | ^ A ^ B ^ Y ^ | ||
| Řádek 132: | Řádek 152: | ||
| </note> | </note> | ||
| - | {{temata:01-polovodice:nand.jpg}} | + | {{temata:01-polovodice:nand.jpg?300}} |
| - | {{temata:01-polovodice:cmos_nand.png}} | + | {{temata:01-polovodice:cmos_nand.png?170}} |
| ^ A ^ B ^ Y ^ | ^ A ^ B ^ Y ^ | ||
