OBSAH WEBU
ČTĚTE!
Toto je starší verze dokumentu!
04 - Hierarchie pamětí
- vyplňuje nám mězeru mezi procesorem a pamětí
- vyvinuto na základě optimalizace konstrukce počítače na základě poměru cena/výkon
- časová lokalita - pokud procesor používá nějakou položku často, je vhodné ji mít uchovanou co nejblíže procesoru
- prostorová lokalita - položky, které jsou uloženy v paměti blízko zmiňované položky budou s vysokou pravděpodobností také často používány
- máme základní úrovně pamětí:
- vnitřní paměť procesoru - registry, registrové, zásobníky, fronty, tabulky, …
- hlavní pamět včetně rychlých vyrovnávacích pamětí
- vnější paměti včetně vyrovnávacích pamětí
Základní pojmy
- stálost obsahu
- volatnilní - potřebuje k uchování informací napájecí napětí
- nevolatilní - nepotřebuje k uchování informací napájecí napětí
- destruktivní - po cyklu čtení se data vymažou - je třeba udělat cyklus zpětného zápisu
- doba uchování informace
- SRAM - statická - uchová si informace dlouho při dodržení jistých parametrů
- DRAM - dynamická - rychle informace zapomene - třeba udělat refresh
- rychlost
- přístupová doba - doba od zahájení čtení po získání obashu paměťového místa
- doba cyklu - doba od zahájění čtení/zápisu do skončení operace, kdy je možno spustit další operaci
- přenosová rychlost - data/čas
- kapacita - N x n bitů (16K x 1bit)
- výkonnost - souhrn kapacity, přístupové doby a rychlosti
- chybovost - např. počet chyb/1000 hodin
- poruchovost - střední doba mezi poruchami
- přístup k datům
- s libovolným přístupem - přístupová doba nezávisí na umístění položky, (RAM - random access memory)
- se sériovým přístupem - závisí na umístění (přisunutí čtecí hlavy), (SAM - serial access memory)
- se smíšeným přístupem - několik (RAM) záznamových povrchů (SAM)
- výběr z paměti
- adresový - adresový prostor je uspořádaný a souvislý
- asociativní - v adresovém prostoru hledáme pomocí klíčů (ve všech řádcích musí být komparátor adres - klíčů)
- měnitelnost obsahu paměti
- RWM - Read/Write Memory
- RAM - (SRAM, SSRAM)
- DRAM
- ROM - Read Only Memory
- PROM - pouze jedno naprogramování (čisté naprogramování)
- EPROM - dá se vymazat (UV záření) a znovu naprogramovat
- EEPROM - elektricky vymazatelná paměť (různé modifikace - Flash EEPROM, …)
Potvrzení
| 04 | ||
|---|---|---|
| Celé jméno | OK | !!! |
| Jirka Hynek |  | |
| vagy | | |
| Tom Ofeig | | |
| 3 | ||
Diskuze
Toto bylo poslední téma, co si nikdo nechtěl označit, tak jsem zatím udělal takový přehled na úvod. Dále by chtělo ještě rozepsat do podrobna principy těch jednotlivých pamětí. Kdo chce, může to udělat. Ze slajdů si to moc nerisknu, spíš bych pak kouknul na záznam, protože si dobře pamatuju, že tam říkal mnohem víc informací a podrobně to popisoval…
Tak jsem to dodělal. Bylo toho fakt hodně, ale myslím, že cílem tématu je hlavně hierarchie a ty struktury pamětí už tolik podstatné nejsou. Každopádně, jak jsem koukal na záznamy, tak hodně zdůraznil Virtuální paměti. Prý se na to všichni s radostí ptají u státnic. To už dost zasahovalo do téma IOSu Ofeiga (Fyzická, logická adresa, stránkování, segmentace, TLB, …). Co jsem koukal, tak je to tam popsaný a i si to pamatuji, jak jsme to probírali…
Least recently used*