Starší verze Správa médií

Poslední úpravy Index

OBSAH WEBU

ČTĚTE!

Toto je starší verze dokumentu!

Obsah

04 - Hierarchie pamětí v počítači
Diskuze

04 - Hierarchie pamětí v počítači

vyplňuje nám mezeru mezi procesorem a pamětí
v počítači máme základní úrovně pamětí:
1. vnitřní paměť procesoru - registry, registrové, zásobníky, fronty, tabulky, …
2. hlavní pamět (RAM) včetně rychlých vyrovnávacích pamětí
3. vnější paměti (disky) včetně vyrovnávacích pamětí

snažíme se mít co nejlepší parametr výkon/cena
- chceme vykonat co nejvíce instrukcí za časovou jednotku
- potřebujeme paměti, které udrží informace i po vypnutí počítače
- procesor je rychlý → potřebujeme mít paměť, která mu dodá rychle data
- chceme, aby paměť byla levná
- je složité docílit všech podmínek najednou → vzniká více druhů pamětí, kde každý druh má nějaká specifika (výhody/nevýhody) → jednotlivé paměti nám pak tvoří hierarchii

Zkoumáním se zjistily tyto poznatky
- časová lokalita
  - pokud procesor používá nějakou položku často, je vhodné ji mít uchovanou co nejblíže procesoru
  - proměnná i v cyklu for ⇒ budeme ji často používat
- prostorová lokalita
  - položky, které jsou uloženy v paměti blízko zmiňované položky budou s vysokou pravděpodobností také často používány
  - procházíme položky v poli ⇒ používáme i sousední položky

Základní pojmy

stálost obsahu
1. volatnilní - potřebuje k uchování informací napájecí napětí
2. nevolatilní - nepotřebuje k uchování informací napájecí napětí
- destruktivní - po cyklu čtení se data vymažou - je třeba udělat cyklus zpětného zápisu
doba uchování informace
1. SRAM - statická - uchová si informace dlouho při dodržení jistých parametrů
2. DRAM - dynamická - rychle informace zapomene - třeba udělat refresh
rychlost
- přístupová doba - doba od zahájení čtení po získání obashu paměťového místa
- doba cyklu - doba od zahájění čtení/zápisu do skončení operace, kdy je možno spustit další operaci
- přenosová rychlost - data/čas
kapacita - N x n bitů (16K x 1bit)
- reprezentuje strukturu paměti
- 64 K x 1 B
  1. šířka datové sběrnice ⇒ 1 Byte
  2. máme 64 K položek, kde každá položka má 1 Byte šířku
výkonnost - souhrn kapacity, přístupové doby a rychlosti
chybovost - např. počet chyb/1000 hodin
poruchovost
- střední doba mezi poruchami
- např flashku s velkou kapacitou nelze vyrobit tak, aby všechny položky byly bezchybové ⇒ je tam více bloků, než je kapacita a poté co se otestují, tak se zapojí ty, co fungují (levnější)
přístup k datům
1. s libovolným přístupem - přístupová doba nezávisí na umístění položky, (RAM - random access memory)
2. se sériovým přístupem - závisí na umístění (přisunutí čtecí hlavy), (SAM - serial access memory)
3. se smíšeným přístupem - několik (RAM) záznamových povrchů (SAM)
výběr z paměti
1. adresový
  - adresový prostor je uspořádaný a souvislý
  - koncept RAM ⇒ adresový dekodér → 10b adresa → 2^10 vodičů z adresového dekodéru do datové části
2. asociativní
  - není tak častá
  - vyhledáváme podle obsahu (klíčů) (ve všech řádcích musí být komparátor adres - klíčů)
  - např. vyhledáváme podle příjmení lidí (nemusí být podle abecedy)
  - paměť v daný čas porovná (neg(XOR)) paralelně se všemi klíči každý bit (zabírá hodně místa na chipu - N * n XOR členů)
  - pamět dobře umí za krátkou dobu najít data podle dané informace (např. z interentu proudí data ⇒ vyextrahujeme určité části a porovnáváme, jestli nesou charakteristiku viru) ⇒ softwarově by se to řešilo složitým algoritmem a bylo by to pomalé

fyzikální vlastnosti pamětí
1. polovodičové - tato kapitola
  1. bipolární
  2. unipolární MOS resp. CMOS
2. magnetické - viz PZ
3. optické
4. molekulární
měnitelnost obsahu paměti
1. RWM - Read/Write Memory
  1. RAM - (SRAM, SSRAM)
  2. DRAM
2. ROM - Read Only Memory
  1. PROM - pouze jedno naprogramování (čisté naprogramování)
  2. EPROM - dá se vymazat (UV záření) a znovu naprogramovat
  3. EEPROM - elektricky vymazatelná paměť (různé modifikace - Flash EEPROM, …)

Další téma, které se zabývá pamětmi naleznete zde. Konkrétně se jedná o správu pamětí.

Jednotlivé typy pamětí

ROM

Read Only Memory
jako příklad je uvedený typ ROM 16 x 4b
- máme 16 adres ⇒ pro adresování jsou třeba 4 vodiče (2^4)
- dekodér vybere podle adresy právě jeden řádek (položka o velikosti 4 bity) ⇒ do datového registru se uloží dané aktivní 4 bity
- paměť tedy tvoří matici 16 x 4
požívá unipolární MOS tranzistory (funguje jako rezistor - odpor) ⇒ tranzistor zabere menší místo na chipu ⇒ gate je připojeno na nějaké napětí (adresový vodič)
- při zápisu se přepálí spojení mezi adresovým vodičem a gate u těch položek, kde má být log 1
- při čtení se na daný adresový vodič přijde log 1 ⇒ tranzistor se otevře ⇒ uzemní se ⇒ přečte se log 0 (pokud je přepálený vodič, přečte se 1)

RWM

Read/Write Memory
podobná základní struktura jako u ROM
máme navíc i zápisové zesilovače

konkrétní paměťová buňka
1. pomocí bipolárních paměťových členů - SRAM
  - struktura, který umí držet log 1 nebo log 0 (dva stabilní stavy ⇒ bistabilní)
  - stav se mění napěťovým pulzem
  - k vedení se používají elektrony i díry (CMOS)
  - viz bipolární tranzistory
2. pomocí unipolárních paměťových členů
  - k vedení se používají buď elektrony nebo díry (PMOS, NMOS)
  - viz unipolární tranzistory
  1. statický
  2. dynamický - DRAM - výrazně menší

SRAM

static RAM
jedna paměťová buňka stojí 6 tranzistorů
přibyly 2 tranzistory - kvůli adresovému vodiči
rychlé ⇒ díky klopným obvodům
využití: cache, paměti blízké procesoru,
rozhraní
1. adresová a datová sběrnice
2. chip enable - říká, zda je chip připojen
3. write enable
4. output enable

Čtení a zápis asynchronní SRAM

acces time - t_a - říká nám, za jak dlouho můžeme vyzvednout data na datové sběrnici ⇒ nesmíme do paměti posílat data moc rychle

address setup time - čas, za jaký bude adresa na sběrnici stabilizovaná ⇒ až pak můžeme dát Write Enable (WE)
data setup time - čas, po který musí být dostupná platná data, aby se stihlo zapsat
data hold time - po zrušení čtení musí být data ještě nějakou dobu platná
address hold time - čas po ukončení zípisu, kdy musí být ještě dostupná adresa

tyto časy jsou uvedeny v katalogu ke konkrétní součástce a musíme je zásadně dodržovat (nesmíme posílat data příliš často)

Adresování dvou a více pamětí

musíme zajistit, aby se v daném okamžiku používala pouze jedna paměť
v počítači máme různé druhy pamětí (RWM/ROM)

všechny paměti musí být připojeny na datovou sběrnici
každá paměť musí mít připojeny příslušné řídící signály (v závislosti na typu)
všechny paměti musí být připojeny k adresovému dekodéru, který bude určovat, která paměť bude aktivní v daném čase (vytvoří nám adresový prostor)
pokud budeme mít např 16 bitové adresy, např:
1. nejvyšší tři bity použijeme pro adresový dekodér ⇒ určí nám paměť (bank ⇒ v tomto případě jich může být 8)
2. ostatní bity se použijí pro zvolenou paměť ⇒ pro adresování v ní

DRAM

levnější než SRAM ⇒ na jednotku plochy lze realizovat více paměťových buněk
technologie zavedena v 70. letech
realizace hlavní paměti počítače - RAM
princip
- informace není uložena jako 0 nebo 1 v klopném obvodu, ale ve formě náboje na kondenzátoru ⇒ vyčtení informace z kondezátoru je zajištěno jedním tranzistorem ⇒ pokud je nabitý - log 1
- data se dají vyčíst z určité doby, jelikož kondenzátor se vybíjí ⇒ zajímá nás hodnota kondenzátoru nad určitou úroveň napětí (1/2) ⇒ zajistíme rozdílovým zesilovačem (detekuje rozdíl mezi tím, co je na kondenzátoru a 1/2U)
- poté, co se informace vyčte, je znova nahrána do kondenzátoru (nabijeme ho) ⇒ data se musí pravidelně obnovovat ⇒ vždy dřív, než klesne pod 1/2

opět maticová struktura - např 16K x 1bit ⇒ potřebuji 14 vodičů (2^16 = 16348)
- oproti SRAM adresa se dává nadvakrát (adresujeme řádek a sloupec - multiplexní adresování ⇒ na průniku je zmiňovaný prvek ⇒ kondenzátor)
- pokud bychom chteli mít N x 2bity ⇒ museli bychom mít celou matici 2x, atd… (více níže)

čtecí zesilovač
- v každém sloupci jeden
- obsahuje zmiňovaný rozdílový zesilovače ⇒ s referenčním kondenzátorem, který se nabíjí na 1/2U porovnává hodnotu napětí na kondenzátoru čtené buňky
- z paměťové buňky umí vyčíst informaci, rozhodnout, jestli bude log 0 nebo log 1 a následně provést zápis (obnovit položku ⇒ zajistit refresh)
- ne vždy je potřeba číst ⇒ musíme mít řízení obnovy dat ⇒ zajišťuje to řadič obnovy dat
  1. rozložená obnova - RNNNNNNRN…. - refreshuju postupně po částech
  2. dávková obnova - RRRRRRRNN…. - refreshuju najednou 7 řádků
  - v obou případech musí být načasováno tak, aby se refresh provedl všude
  - spomaluje nám to výpočet ⇒ musíme naplánovat co nejefektivněj
  - ve video paměti se čte všechno ⇒ obnoví se samo
- je vidět, že čtení už není tak jednoduché jak u SRAM

bloková struktura
1. adresa bloku - zhora prvních n bitů (např. 3)
  - opět máme adresový dekodér (1 z n) ⇒ 8 bloků ⇒ 16K (14 vodičů)x 8bit (8 bloků)
  - v daném bloku můžeme mít více pamětí ⇒ to, kterou paměť vybereme, určujeme adresou RAS
2. adresa sloupce - zhora druhých n bitů (např. 7) - CAS
3. adresa řádku - zhora posledních n bitů (např. 7) - RAS
- x x x | x x x x x x x | x x x x x x x
- rozdělování do bloků (16 x 1M x 1b) je mnohem rychlejší než základní struktura bez bloků (16M x 1b) ⇒ nastavím RAS a CAS a pouze pak přepínám bloky, což stojí menší režii, jak kdybych musel znova nastavovat RAS a CAS ⇒ prokládání paměťových operací
- myšlenka je taková, že prioriou je vytáhnout co nejvíce dat na dané adrese a přitom neměnit RAS a CAS
  1. BEDO - obsahuje interní čítač ⇒ adresu řekneme jednou a paměť si už pak inkremetuje ⇒ procesor pak dostane např 4x víc dat ⇒ natáhne si blok
  2. synchronní DRAM - zavedl se dávkový režim BURST - paměti se posílají kódy a sama se už stará o určení přesné adresy ⇒ můžeme přečíst různý počet položek, který stanovíme a zašleme příkazem do paměti
  3. DDR SDRAM - náběžná i sestupná hrana (2x zrychlení)
  4. DDR2, DDR3 - zvyšuje se frekvence (2x)

Flash

nevolatilní paměť
od roku 1980
vylepšení paměti EEPROM ⇒ pouze jeden tranzistor na uchování jednoho bitu místo dvou (někdy i méně)
vysoká kapacita
když do paměti chceme něco zapsat, tak ji musíme nejdřív smazat (nahrají se všude jedničky) a tam, kde chceme zapisovat se pak nahrají nuly (lze mazat pouze po blocích)
dva typy:
1. NOR
  - podobné jako RAM (adresové a datové vodiče)
  - používá se jako náhrada PROM, EEPROM
2. NAND
  - nemá specializované adresové vodiče
  - ovládá se pomocí příkazů
  - lze realizovat extrémně velké kapacity na malé ploše
používá se unipolární tranzistor s plovoucím hradlem

NAND a NOR Flash nesouvisí s NAND a NOR u polovodičů. Název je odvozen pouze od podobné struktury

Hierarchie

Potvrzení

04
Celé jméno	OK	!!!
Jirka Hynek
vagy
Tom Ofeig
	3

george, INP, pamet

Diskuze

george, 2011/02/15 09:38

Toto bylo poslední téma, co si nikdo nechtěl označit, tak jsem zatím udělal takový přehled na úvod. Dále by chtělo ještě rozepsat do podrobna principy těch jednotlivých pamětí. Kdo chce, může to udělat. Ze slajdů si to moc nerisknu, spíš bych pak kouknul na záznam, protože si dobře pamatuju, že tam říkal mnohem víc informací a podrobně to popisoval…

george, 2011/03/02 16:36

Tak jsem to dodělal. Bylo toho fakt hodně, ale myslím, že cílem tématu je hlavně hierarchie a ty struktury pamětí už tolik podstatné nejsou. Každopádně, jak jsem koukal na záznamy, tak hodně zdůraznil Virtuální paměti. Prý se na to všichni s radostí ptají u státnic. To už dost zasahovalo do téma IOSu Ofeiga (Fyzická, logická adresa, stránkování, segmentace, TLB, …). Co jsem koukal, tak je to tam popsaný a i si to pamatuji, jak jsme to probírali…

test2001:67c:1220:809::93e5:90e, 2018/05/21 13:06

Least recently used*

temata/04-hierarchie_pameti/main.1298899595.txt.gz · Poslední úprava: 2011/02/28 14:26 autor: george

Starší verze

Zpětné odkazy Nahoru